IRL3713PBF Especificações técnicas

IRL3713PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 30V
Current Rating 250A
Power Dissipation-Max 330W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3m Ω @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5890pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 57 ns
Continuous Drain Current (ID) 260A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 75A
Dual Supply Voltage 30V
Height 9.017mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2003
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Resistance 3mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 260A Tc
Rise Time 160ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Threshold Voltage 2.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Nominal Vgs 2.5 V
Length 10.6426mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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