IRLML5203TRPBF Especificações técnicas

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.25W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98m Ω @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 88 ns
Threshold Voltage -2.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24A
Nominal Vgs -2.5 V
Length 3.0226mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 98MOhm
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Position DUAL
Current Rating -3A
Power Dissipation-Max 1.25W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Ta
Rise Time 18ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 52 ns
Continuous Drain Current (ID) -3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Dual Supply Voltage -30V
Height 1.016mm
Width 3.05mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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