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SIGC28T60EX7SA1 Especificações técnicas

IGBT 3 CHIP 600V 50A WAFER

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / IGBTs Individuais
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die
Series TrenchStop™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Active
Input Type Standard
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
IGBT Type Trench Field Stop
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
SIGC25T60NCX1SA2 Infineon Technologies IGBTs Individuais
SIGC25T60NCX1SA4 Infineon Technologies IGBTs Individuais
SIGC25T60NCX1SA5 Infineon Technologies IGBTs Individuais
SIGC25T60NCX1SA6 Infineon Technologies IGBTs Individuais
SIGC25T60NCX1SA7 Infineon Technologies IGBTs Individuais
SIGC25T60NCX7SA1 Infineon Technologies IGBTs Individuais
SIGC25T60NCX7SA2 Infineon Technologies IGBTs Individuais
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