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BCR 103T E6327 Especificações técnicas

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Power - Max 250mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 20mA
Supplier Device Package PG-SC-75
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
BCR 101L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2668
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pré-Polarizados
BCR 101T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2762
BCR 101T E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pré-Polarizados
BCR 103F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2788
BCR 103F E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pré-Polarizados
BCR 103L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2699
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pré-Polarizados
BCR 103T E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pré-Polarizados
BCR 108 B6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2766

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