BSS670S2LH6327XTSA1 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2.7µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 55V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 270mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names BSS670S2L H6327 BSS670S2L H6327-ND BSS670S2L H6327TR-ND BSS670S2LH6327 BSS670S2LH6327XTSA1TR SP000928950
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.26nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 540mA (Ta)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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