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IPB065N03LGATMA1 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 56W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names IPB065N03LGATMA1DKR IPB065N03LGINDKR IPB065N03LGINDKR-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Outros incluem   "IPB06"   peças

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
IPB060N15N5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2715
IPB065N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Único 33523
IPB065N03LG INFINEO ICs Quentes Especializados 1408
IPB065N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET Únicos
IPB065N06L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Único 4285
IPB065N06LG VB ICs Quentes Especializados 801
IPB065N10N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2623
IPB065N10N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET Únicos
IPB065N15N3 INFINEO ICs Quentes Especializados 2593
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