IPG20N06S4L26AATMA1 Especificações técnicas

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power - Max 33W
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PG-TDSON-8-10
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 17A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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IPG20N04S4-02 International Rectifier (Infineon Technologies) ICs Quentes Especializados 1290
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IPG20N04S4-08A INFINEO ICs Quentes Especializados 8966
IPG20N04S4-08B INFINEO ICs Quentes Especializados 2799
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