IPU103N08N3 G Especificações técnicas

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.3 mOhm @ 46A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
IPU105N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2544
IPU10N03LA International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Único 438
IPU10N03LA G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2500

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