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IRF9956TR Especificações técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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IRF9910PBF Infineon Technologies Arrays de Transistores MOSFETs
IRF9910PBF Rochester Electronics, LLC Arrays de Transistores MOSFETs
IRF9910PBF MOS IR ICs Quentes Especializados 14232
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IRF9910TR Infineon Technologies Arrays de Transistores MOSFETs
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