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SPD06N60C3BTMA1 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 260µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 3.9A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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SPD06N60C3BTMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET Únicos
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