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DTA114EUAT106 Especificações técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package UMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
DTA1132KA ROHM ICs Quentes Especializados 24000
DTA1135EKAT146 ROHM ICs Quentes Especializados 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor ICs Quentes Especializados 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor ICs Quentes Especializados 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados

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