DTA123YCAHZGT116 Especificações técnicas

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SST3
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names DTA123YCAHZGT116TR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados
DTA123EE ROHM ICs Quentes Especializados 3432
DTA123EE TL ROHM ICs Quentes Especializados 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor ICs Quentes Especializados 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 598
DTA123EET1 ON Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados

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