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EMF24T2R Especificações técnicas

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz, 180MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 150mA
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
EMF2449A1-19UFL Laird Technologies IAS Antenas RF
EMF2449A1-33UFL Laird Technologies IAS Antenas RF
EMF24N02Q E ICs Quentes Especializados 652
EMF24N02Q MOS VBSEMI ICs Quentes Especializados 16286
EMF24N02Q-2 EMC/ ICs Quentes Especializados 2437
EMF24T2R ROHM Semiconductor Arrays de Transistores BJT

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