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EMH3T2R
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EMH3T2R Especificações técnicas
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | EMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
EMH3T2R Documentos
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Folhas de dados
EMH3T2R.pdf
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Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
EMH3T2R | ROHM Semiconductor | Arrays de Transistores BJT |
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