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SCT2080KEC Especificações técnicas

MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4.4mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 10A, 18V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 800V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +22V, -6V
Supplier Device Package TO-247
Power Dissipation (Max) 262W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 18V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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SCT2080KEC Documentos

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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SCT2001AS1G SCT ICs Quentes Especializados 1203
SCT2001ASIG SCT ICs Quentes Especializados 560
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