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APT25SM120S Especificações técnicas

POWER MOSFET - SIC

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package D3
Power Dissipation (Max) 175W (Tc)
Package / Case D-3 Module
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Outros incluem   "APT25"   peças

As seguintes peças incluem  'APT25' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
APT25GF100BN APT ICs Quentes Especializados 2958
APT25GF120JCU2 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2697
APT25GF120JCU2 Microsemi Corporation Módulos IGBTs
APT25GLQ120JCU2 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2756
APT25GLQ120JCU2 Microsemi Corporation Módulos IGBTs
APT25GN120B APT ICs Quentes Especializados 2960
APT25GN120B2DQ2 APT Módulos IGBT 2927
APT25GN120B2DQ2G Microsemi Transistores - IGBTs - Único 2756
APT25GN120B2DQ2G Microsemi Corporation IGBTs Individuais
APT25GN120BG Microsemi Transistores - IGBTs - Único 2899

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