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JAN2N3636 Especificações técnicas

TRANS PNP 175V 1A

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 175V
Transistor Type PNP
Series Military, MIL-PRF-19500/357
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-39
Power - Max 1W
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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JAN2N1016C Microsemi Transistores - Bipolar (BJT) - Único 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistores - Bipolar (BJT) - Único 2714
JAN2N1171A ST ICs Quentes Especializados 2815
JAN2N1172A ST ICs Quentes Especializados 2756
JAN2N1173A ST ICs Quentes Especializados 2936
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JAN2N1175A ST ICs Quentes Especializados 2854
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