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IRF9910PBF Especificações técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A, 12A
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Outros incluem   "IRF99"   peças

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
IRF9910 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes 2291
IRF9910 Infineon Technologies Arrays de Transistores MOSFETs
IRF9910PBF Infineon Technologies Arrays de Transistores MOSFETs
IRF9910PBF Rochester Electronics, LLC Arrays de Transistores MOSFETs
IRF9910PBF MOS IR ICs Quentes Especializados 14232
IRF9910TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes 2724
IRF9910TR Infineon Technologies Arrays de Transistores MOSFETs
IRF9910TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes 65472
IRF9910TRPBF Infineon Technologies Arrays de Transistores MOSFETs
IRF9910TRPBF MOS IR ICs Quentes Especializados 3529

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