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NSBC143EDXV6T1 Especificações técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-563
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor Arrays de Transistores BJT
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC Arrays de Transistores BJT
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor Arrays de Transistores BJT
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor Arrays de Transistores BJT
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pré-Polarizados
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 2569

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