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NVD5867NLT4G Especificações técnicas

MOSFET N-CH 60V DPAK

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 6A (Ta), 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 11A, 10V
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 22A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
NVD5802NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Único 42776
NVD5802NT4G ON ICs Quentes Especializados 498
NVD5802NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET Únicos
NVD5802NT4G-TB01 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2645
NVD5802NT4G-VF01 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2660
NVD5803N ON ICs Quentes Especializados 37443
NVD5803NT4G ON ICs Quentes Especializados 2987
NVD5803NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET Únicos
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