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PUMH10,125
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PUMH10,125 Especificações técnicas
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | 6-TSSOP |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PUMH10,125 Documentos
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Folhas de dados
PUMH10,125.pdf
Outros incluem "PUMH1" peças
As seguintes peças incluem 'PUMH1'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
PUMH1 | NXP | ICs Quentes Especializados | 6698 |
PUMH1,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2720 |
PUMH1,115 | Nexperia USA Inc. | Arrays de Transistores BJT | |
PUMH1/DG/B2 | NXP | ICs Quentes Especializados | 56720 |
PUMH1/DG/B3,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2656 |
PUMH1/DG/B3,115 | Nexperia USA Inc. | Arrays de Transistores BJT | |
PUMH1/ZLX | Nexperia USA Inc. | Arrays de Transistores BJT | |
PUMH10 | NXP | ICs Quentes Especializados | 177456 |
PUMH10 IC | NXP Semiconductors / Freescale | ICs Quentes Especializados | 66296 |
PUMH10,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2726 |
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