PUMH10,125 Especificações técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 300mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package 6-TSSOP
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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PUMH10,125 Documentos

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Outros incluem   "PUMH1"   peças

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
PUMH1 NXP ICs Quentes Especializados 6698
PUMH1,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 2720
PUMH1,115 Nexperia USA Inc. Arrays de Transistores BJT
PUMH1/DG/B2 NXP ICs Quentes Especializados 56720
PUMH1/DG/B3,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 2656
PUMH1/DG/B3,115 Nexperia USA Inc. Arrays de Transistores BJT
PUMH1/ZLX Nexperia USA Inc. Arrays de Transistores BJT
PUMH10 NXP ICs Quentes Especializados 177456
PUMH10 IC NXP Semiconductors / Freescale ICs Quentes Especializados 66296
PUMH10,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 2726

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