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SI4778DY-T1-E3
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SI4778DY-T1-E3 Especificações técnicas
MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 13V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
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