SIA929DJ-T1-GE3 Especificações técnicas

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 7.8W
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIA929DJ-T1-GE3-ND SIA929DJ-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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