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SIR403EDP-T1-GE3
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SIR403EDP-T1-GE3 Especificações técnicas
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 13A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4620pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
SIR403EDP-T1-GE3 Documentos
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Folhas de dados
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Outros incluem "SIR40" peças
As seguintes peças incluem 'SIR40'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
SIR401DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 3000 |
SIR401DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 19698 |
SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET Únicos | |
SIR402DP | SI | ICs Quentes Especializados | 2761 |
SIR402DP-T1-E3 | VISHAY | ICs Quentes Especializados | 2702 |
SIR402DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 210170 |
SIR402DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 132448 |
SIR402DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET Únicos | |
SIR402DP-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | ICs Quentes Especializados | 26488 |
SIR403EDP-T1 | Vishay Precision Group | ICs Quentes Especializados | 1157 |
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