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PDTB113EUX Especificações técnicas

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-323-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Outros incluem   "PDTB1"   peças

As seguintes peças incluem  'PDTB1' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
PDTB113EK NXP ICs Quentes Especializados 27413
PDTB113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2754
PDTB113EK,115 NXP USA Inc. Transistores BJT Pré-Polarizados
PDTB113EQAZ Nexperia Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2702
PDTB113EQAZ Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pré-Polarizados
PDTB113ES,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2592
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. Transistores BJT Pré-Polarizados
PDTB113ET PHILIPS ICs Quentes Especializados 12443
PDTB113ET,215 Nexperia Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2712
PDTB113ET,215 Nexperia USA Inc. Transistores BJT Pré-Polarizados

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