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PDTB123YUX
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PDTB123YUX Especificações técnicas
TRANS PREBIAS PNP 0.425W
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | 140MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | SOT-323-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
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Baixe folhas de dados e documentação do fabricante para PDTB123YUX
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Folhas de dados
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Outros incluem "PDTB1" peças
As seguintes peças incluem 'PDTB1'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
PDTB113EK | NXP | ICs Quentes Especializados | 27413 |
PDTB113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2754 |
PDTB113EK,115 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pré-Polarizados | |
PDTB113EQAZ | Nexperia | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2702 |
PDTB113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT Pré-Polarizados | |
PDTB113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2592 |
PDTB113ES,126 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pré-Polarizados | |
PDTB113ET | PHILIPS | ICs Quentes Especializados | 12443 |
PDTB113ET,215 | Nexperia | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2712 |
PDTB113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT Pré-Polarizados |
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