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PDTD114ETR
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PDTD114ETR Especificações técnicas
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 320mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | 225MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
PDTD114ETR Documentos
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Folhas de dados
PDTD114ETR.pdf
Outros incluem "PDTD1" peças
As seguintes peças incluem 'PDTD1'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
PDTD113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2794 |
PDTD113EK,115 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pré-Polarizados | |
PDTD113EQAZ | Nexperia | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2794 |
PDTD113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT Pré-Polarizados | |
PDTD113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2741 |
PDTD113ES,126 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pré-Polarizados | |
PDTD113ET | NXP | ICs Quentes Especializados | 6000 |
PDTD113ET ,215 IC | NXP Semiconductors / Freescale | ICs Quentes Especializados | 596 |
PDTD113ET,215 | Nexperia | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2705 |
PDTD113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT Pré-Polarizados |
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