ECH8601M-TL-H-P Especificações técnicas

MOSFET 2N-CH

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Arrays de Transistores MOSFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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