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FDB8896-F085 Especificações técnicas

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 80W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Ta 93A Tc
Rise Time 102ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0068Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 74 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 80W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7m Ω @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2525pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 44 ns
Continuous Drain Current (ID) 93A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 19A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Radiation Hardening No
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