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MJE5731G Especificações técnicas

MJE5731G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores BJT Únicos
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
Voltage - Rated DC -350V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 10MHz
Pin Count 3
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 10MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Transition Frequency 10MHz
Max Breakdown Voltage 60V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 15.75mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 40W
Current Rating -1A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation 40W
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 350V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA 10V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 350V
Collector Emitter Saturation Voltage 1V
Collector Base Voltage (VCBO) 350V
hFE Min 30
Length 10.28mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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MJE5731AG ON Semiconductor Transistores BJT Únicos

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