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NSVBC114EPDXV6T1G
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NSVBC114EPDXV6T1G Especificações técnicas
TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Semicondutores Discretos / Arrays de Transistores BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 500mW |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 10k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10k Ω |
Lead Free | Lead Free |
NSVBC114EPDXV6T1G Documentos
Baixe folhas de dados e documentação do fabricante para NSVBC114EPDXV6T1G
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Folhas de dados
Outros incluem "NSVBC" peças
As seguintes peças incluem 'NSVBC'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
NSVBC114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 8344 |
NSVBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de Transistores BJT | |
NSVBC114EPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 4000 |
NSVBC114EPDXV6T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ICs Quentes Especializados | 4268 |
NSVBC114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2543 |
NSVBC114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de Transistores BJT | |
NSVBC114YPDXV65G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2692 |
NSVBC114YPDXV65G | ON Semiconductor | Arrays de Transistores BJT | |
NSVBC114YPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados | 2747 |
NSVBC114YPDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de Transistores BJT |
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