NTD4806N-35G Especificações técnicas

MOSFET N-CH 30V 11A IPAK

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 1.4W Ta 68W Tc
Power Dissipation 2.14W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2142pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 11.5V
Fall Time (Typ) 4.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 76A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A Ta 79A Tc
Rise Time 23.8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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