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EMX51T2R Especificações técnicas
NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Semicondutores Discretos / Arrays BJT Transistores |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Transition Frequency | 400MHz |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 150mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Frequency - Transition | 400MHz |
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