RUM001L02T2CL Especificações técnicas

MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Transistores MOSFET Únicos
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Power Dissipation-Max 150mW Ta
Power Dissipation 150mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ω @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V
Rise Time 4ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Height 550μm
Lead Free Lead Free
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.2V 4.5V
Fall Time (Typ) 38 ns
Continuous Drain Current (ID) 100mA
Drain-source On Resistance-Max 4.2Ohm
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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