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UMB6NTR Especificações técnicas

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Arrays de Transistores BJT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 68
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number MB6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 30mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω
VCEsat-Max 0.3 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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UMB6NTR Documentos

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Outros incluem   "UMB6N"   peças

As seguintes peças incluem  'UMB6N' 

Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
UMB6N LAPIS Semiconductor ICs Quentes Especializados 6000
UMB6N TR ROHM ICs Quentes Especializados 150000
UMB6NTR LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-Polarizados 3273

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