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VT6Z2T2R Especificações técnicas

TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

Atributo do produto Valor do atributo
Category Semicondutores Discretos / Arrays BJT Transistores
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2015
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage -150mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power - Max 150mW
Gain Bandwidth Product 300MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 350MHz
Frequency - Transition 350MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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VT6Z2T2R LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays 2530

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