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NP109N055PUK-E1-AY
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NP109N055PUK-E1-AY Especificações técnicas
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único |
Manufacturer | Renesas Electronics America |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-263 |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 250W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 189nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 55A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11250pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
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Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
NP109N04PUG | NEC | ICs Quentes Especializados | 7004 |
NP109N04PUG MOS | NEC | ICs Quentes Especializados | 2706 |
NP109N04PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | Transistores - FETs, MOSFETs - Único | 2662 |
NP109N04PUJ | VB | ICs Quentes Especializados | 1000 |
NP109N04PUJ-E1B-AY | VB | ICs Quentes Especializados | 1000 |
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