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MJE802 Especificações técnicas
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 40W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Supplier Device Package | SOT-32 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
MJE802 Documentos
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-
Folhas de dados
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Outros incluem "MJE80" peças
As seguintes peças incluem 'MJE80'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
MJE800 | MOT | ICs Quentes Especializados | 2706 |
MJE800 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Únicos | |
MJE8006 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ICs Quentes Especializados | 6 |
MJE800G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2094 |
MJE800G | ON Semiconductor | Transistores BJT Únicos | |
MJE800STU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2924 |
MJE800STU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 5316 |
MJE800STU | ON Semiconductor | Transistores BJT Únicos | |
MJE801STU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2532 |
MJE801STU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolar (BJT) - Único | 2563 |
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