TC58CVG2S0HQAIE Especificações técnicas

IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Atributo do produto Valor do atributo
Category Circuitos Integrados (CIs) / Memória
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND (SLC)
Packaging Tray
Other Names TC58CVG2S0HQAIEY0J TC58CVG2S0HQAIEYCJ
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface SPI - Quad I/O
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 104MHz
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 16-SOP
Package / Case 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 280µs 16-SOP
Access Time 280µs
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
TC58C1286AXB Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 17
TC58C1287AXB(YDELA ) TOSHIBA ICs Quentes Especializados 2690
TC58C1287AXB(YDELA) Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 1134
TC58C128AFTI TOSHIBA ICs Quentes Especializados 3358
TC58C256AXB M-Syste ICs Quentes Especializados 4247
TC58CVG0S3HQAIE Toshiba Memory America, Inc. Memória 2760
TC58CVG0S3HQAIE Toshiba Semiconductor and Storage Memória 2644
TC58CVG0S3HRAIG Toshiba Semiconductor and Storage Memória 5335
TC58CVG0S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. Memória 3053
TC58CVG0S3HRAIJ KIOXIA ICs Quentes Especializados 60256

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