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RN2310(TE85L,F)
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RN2310(TE85L,F) Especificações técnicas
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | USM |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN2310(TE85L,F) Documentos
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-
Folhas de dados
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Outros incluem "RN231" peças
As seguintes peças incluem 'RN231'
Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
RN2310 | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 2941 |
RN2310,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2672 |
RN2310,LXGF | Toshiba Semiconductor and Storage | ICs Quentes Especializados | 12000 |
RN2310LXGF | TOS | ICs Quentes Especializados | 12457 |
RN2311 | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 3021 |
RN2311 TE85R | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 3437 |
RN2311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado | 2729 |
RN2311(YA) | TOSHIBA | ICs Quentes Especializados | 3000 |
RN2311,LF | TOS | ICs Quentes Especializados | 18000 |
RN2311,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores BJT Pré-Polarizados |
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