RN2314(TE85L,F) Especificações técnicas

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 100mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package USM
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
RN2310 TOSHIBA ICs Quentes Especializados 2941
RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2514
RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2672
RN2310,LXGF Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 12000
RN2310LXGF TOS ICs Quentes Especializados 12457
RN2311 TOSHIBA ICs Quentes Especializados 3021
RN2311 TE85R TOSHIBA ICs Quentes Especializados 3437
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-Biasado 2729
RN2311(YA) TOSHIBA ICs Quentes Especializados 3000
RN2311,LF TOS ICs Quentes Especializados 18000

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