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TK39J60W5,S1VQ Especificações técnicas

MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.9mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3P(N)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 19.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38.8A (Ta)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
TK39J60W TOS ICs Quentes Especializados 2585
TK39J60W IC Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 6663
TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2608
TK39J60W5 Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 750
TK39J60W5 IC Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 529
TK39J60W5,S1EMRQ Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 1085
TK39J60W5,S1VQ(O Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 236
TK39J60W5S1EMRQ Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 1447
TK39J60W5S1VQ(O Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 379

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