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TK58E06N1,S1X Especificações técnicas

MOSFET N CH 60V 58A TO-220

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 29A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Ta)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
TK58E06N1 TOSHIBA ICs Quentes Especializados 5301
TK58E06N1,S1X(S TOS ICs Quentes Especializados 7340

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