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TPN2R805PL,L1Q Especificações técnicas

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 300µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max) 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Other Names TPN2R805PLL1Q
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3.2nF @ 22.5V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 45V 139A (Ta), 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 40A, 10V
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature 175°C
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 139A (Ta), 80A (Tc)
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Outros incluem   "TPN2R"   peças

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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
TPN2R003NC TOSHIBA ICs Quentes Especializados 2510
TPN2R003NC ,L1APQ Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 15484
TPN2R003NC,L1APQ TOSHIBA ICs Quentes Especializados 2587
TPN2R203NC TOSHIBA ICs Quentes Especializados 9339
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2698
TPN2R304PL QQ2850920316 ICs Quentes Especializados 13538
TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2522
TPN2R503NC TOSHIBA ICs Quentes Especializados 1691
TPN2R503NC ,L1SYQ Toshiba Semiconductor and Storage ICs Quentes Especializados 10294
TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2701

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