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8EWF12STR Especificações técnicas

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Diodos - Retificadores - Único
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 8A
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Reverse Recovery Time (trr) 270ns
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 8A
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
8EWF10 IR ICs Quentes Especializados 10386
8EWF10S Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Retificadores - Único 2703
8EWF10S Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Retificadores - Único 2737
8EWF10SPBF Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 2415
8EWF10STR Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 2000
8EWF10STR 8EWF10S VISHAY/IR ICs Quentes Especializados 2000
8EWF10STR 8EWF10S MOS Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 2379
8EWF10STRL Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Retificadores - Único 3000
8EWF10STRPBF Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 1268
8EWF12S Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Retificadores - Único 19818

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