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BYG10D-E3/TR Especificações técnicas

DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Diodos - Retificadores - Único
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 1.5A
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr) 4µs
Package / Case DO-214AC, SMA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Avalanche
Current - Average Rectified (Io) 1.5A
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
BYG10B Vishay Precision Group ICs Quentes Especializados 1800
BYG10D NXP ICs Quentes Especializados 2298
BYG10D-E3 VISHAY ICs Quentes Especializados 2630
BYG10D-E3/TR Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Retificadores - Único 50195
BYG10D-E3/TR Vishay Semiconductor Diodes Division Retificador de Diodo Monofásico
BYG10D-E3/TR3 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Retificadores - Único 56700
BYG10D-E3/TR3 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Retificadores - Único 2774
BYG10D-E3/TR3 Vishay Semiconductor Diodes Division Retificador de Diodo Monofásico
BYG10D-M3/TR Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Retificadores - Único 15322
BYG10D-M3/TR Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Retificadores - Único 13781

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