IRF840AL Especificações técnicas

MOSFET N-CH 500V 8A TO-262

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1018pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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IRF840 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Único 1785
IRF840 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Único 14244
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IRF840A Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Único 2685
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