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SI2392DS-T1-GE3 Especificações técnicas

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs 126 mOhm @ 2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 196pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
SI2392ADS-T1-E3 VISHAY ICs Quentes Especializados 12963
SI2392ADS-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Único 77779
SI2392ADS-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Único 5411
SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET Únicos
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SI2392DS-T1-E3 AOS ICs Quentes Especializados 2723
SI2392DS-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Único 67285
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SI2392DS-T1-GE3 fabricantes de marcas: Vishay / Siliconix, Bonchip estoque, SI2392DS-T1-GE3 Preço de referência. SI2392DS-T1-GE3 parâmetros, SI2392DS-T1-GE3 Folha de dados PDF e download da descrição do diagrama de pinos. Você pode usar o SI2392DS-T1-GE3 Conectores conectáveis, DSP Datasheet PDF, localizar SI2392DS-T1-GE3 diagrama de pinos e diagrama de circuito e método de uso da função, SI2392DS-T1-GE3 tutoriais de eletrônica. Você pode baixar do Bonchip.
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