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SI4101DY-T1-GE3 Especificações técnicas

MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Atributo do produto Valor do atributo
Category Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Único
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 203nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo do produto Valor do atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8190pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25.7A (Tc)
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Papel # Fabricante Categoria Disponibilidade
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SI4101DY-T1-GE3 fabricantes de marcas: Vishay / Siliconix, Bonchip estoque, SI4101DY-T1-GE3 Preço de referência. SI4101DY-T1-GE3 parâmetros, SI4101DY-T1-GE3 Folha de dados PDF e download da descrição do diagrama de pinos. Você pode usar o SI4101DY-T1-GE3 Conectores conectáveis, DSP Datasheet PDF, localizar SI4101DY-T1-GE3 diagrama de pinos e diagrama de circuito e método de uso da função, SI4101DY-T1-GE3 tutoriais de eletrônica. Você pode baixar do Bonchip.
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