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SI4202DY-T1-GE3
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SI4202DY-T1-GE3 Especificações técnicas
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Category | Produtos Semicondutores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrizes |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 3.7W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.1A |
Atributo do produto | Valor do atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Papel # | Fabricante | Categoria | Disponibilidade |
---|---|---|---|
SI4200-BM | Energy Micro (Silicon Labs) | CIs Transceptores RF | 431 |
SI4200-BM | Silicon Labs | CIs Transceptores RF | |
SI4200-BMR | SILICON | ICs Quentes Especializados | 13391 |
SI4200-BMR IC | SI | ICs Quentes Especializados | 538 |
SI4200-EVB | Energy Micro (Silicon Labs) | Kits de Avaliação e Desenvolvimento de RF, Placas | 2746 |
SI4200-EVB | Silicon Labs | Placas RF | |
SI4200-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | CIs Transceptores RF | 3336 |
SI4200-GM | Silicon Labs | CIs Transceptores RF | |
SI4200-GMR | SILICONIX | ICs Quentes Especializados | 7500 |
SI4200BM | N/A | ICs Quentes Especializados | 2393 |
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